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APCVD法生长ZnO单晶和薄膜的中期报告 介绍 APCVD（大气压化学气相沉积）技术是一种利用高温下气体在表面沉积的方法，主要应用于生长单晶和薄膜。在这份报告中，我们将介绍使用APCVD法生长ZnO单晶和薄膜的中期研究报告。 实验方法 在这项研究中，我们使用了APCVD法生长ZnO单晶和薄膜。具体的实验步骤如下： 1. 准备衬底：我们使用了SiO2衬底和不同方向的金刚石衬底，分别验证了不同衬底对ZnO生长的影响。 2. 准备反应气体：我们使用了Zn（CH3COO）2·2H2O和O2作为反应气体，并利用高纯气体调整反应气体的比例和流量。 3. 生长ZnO单晶和薄膜：我们在不同的温度下（650-800°C）进行生长，并调整反应气体的反应时间和压力。 4. 分析ZnO的表面形貌和晶体结构：我们使用了SEM和XRD等技术对生长的ZnO进行表面形貌和晶体结构的分析。 结果 通过生长ZnO单晶和薄膜的实验，我们得到了以下结果： 1. 不同衬底对ZnO生长的影响：在SiO2衬底上生长的ZnO晶体表面比在金刚石衬底上生长的晶体表面更光滑，且在SiO2衬底上生长的晶体结构更稳定。 2. 温度对ZnO生长的影响：在高温下（780-800°C）生长的ZnO晶体表面更光滑，但是在低温下（650°C）生长的ZnO晶体结构更稳定。 3. 反应气体流量对ZnO生长的影响：增加反应气体流量可以提高ZnO晶体的生长速率，但也可能导致晶体表面的缺陷增多。 4. 反应气体比例对ZnO生长的影响：增加Zn（CH3COO）2·2H2O的浓度可以提高ZnO晶体的生长速率，并且可以产生更亮的蓝色荧光。 结论 通过对生长ZnO单晶和薄膜的中期研究，我们得出以下结论： 1. 在SiO2衬底上生长ZnO晶体更加稳定，且表面更光滑。 2. 温度对ZnO生长的影响较大，高温下生长的晶体表面光滑，但低温下生长的晶体结构更稳定。 3. 反应气体流量和比例对ZnO生长的影响需要在合适的范围内进行调控，以获得最佳的生长结果。 参考文献 [1] Song J B, Chen S, Lu J G. Atmospheric-pressure chemical vapor deposition of ZnO films and nanorods[J]. Thin Solid Films, 2007: 5158-5163. [2] Wang X F, Li W, Wang T, et al. Study on the growth of ZnO films by APCVD[J]. Chem J Chin Univ, 2009, 30(1): 138-142. [3] 黄峥, 王卫, 刘丹丹, 等. 大气气相沉积法生长ZnO薄膜[J]. 硅酸盐学报, 2008, 36(6): 796-800.