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- 2023-11-08 发布于四川
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本发明提供了一种加速恢复集成电路老化的电路及装置，包括：集成电路，还包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3以及NMOS管N4；还包括控制端，所述控制端分别与PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3以及NMOS管N4的栅极电连接，通过控制MOS管的通断调节集成电路工作状态。本发明提出的电路可以有效加速集成电路两种老化的恢复，从而缓解负载老化所引起的集成电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117013999 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310686635.0
(22)申请日 2023.06.09
(71)申请人 上海交通大学
地址 200240
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