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本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括器件区和修边区，所述第一晶圆表面形成有第一介质层，所述器件区的第一介质层中形成有顶层金属层；在所述第一介质层表面形成覆盖所述第一介质层的堆栈介质层；在所述堆栈介质层中形成电连接所述顶层金属层的第一金属连接结构；在所述堆栈介质层和所述第一金属连接结构表面形成保护层；对所述第一晶圆进行修边，去除所述修边区的部分保护层、堆栈介质层和第一介质层以及设定厚度的所述第一晶圆；去除所述保护层。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012703 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202210460753.5
(22)申请日 2022.04.28
(71)申请人 中芯国际集成电路
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