一种半导体光放大器及其制作方法.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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一种半导体光放大器及其制作方法.pdf

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本发明涉及通信技术领域，提供了一种半导体光放大器及其制作方法。其中所述半导体放大器包括衬底和对生长在衬底上的外延结构刻蚀形成的台面结构；所述台面结构被划分为至少一个无光区域和至少一个发光区域；所述发光区域的台面上方生长有电流导通结构，用于导通电流到达所述台面结构；所述无光区域上方生长有第一电流阻挡结构，用于阻挡上层的电流到达所述台面结构。本发明使输出的最大功率阈值增高，从而实现工作寿命增加。且通过无光区域不发光还减少了芯片的整体发热，增加了传热途径，提高了传热效果，进而芯片的可靠性进一步提高。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117013365 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310828044.2 (22)申请日 2023.07.06 (71)申请人武汉光迅科技股份有限公司地址