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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-11-08 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部结构，所述鳍部结构包括若干层沿所述衬底表面法线方向重叠的牺牲层、以及位于相邻两层所述牺牲层之间的沟道层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲层，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括碱性溶液和氧化性溶液所述刻蚀液对所述牺牲层既具有刻蚀性也具有氧化性；双重作用下使得所述湿法刻蚀工艺对所述牺牲层具有较大的刻蚀选择比因此在去除所述牺牲层的过程中能够大大地减少对所述沟道层的损伤，使得最终的所述沟道层的一致性得到提升，进而保证最终形成的各个MOS结构的性能提高，以此

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012644 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202210476449.X (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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