一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件.pdf

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本发明提供一种三维存储器结构所述三维存储器结构包括衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，所述堆叠结构具有沿第一方向依次设置的第一分区和第二分区；其中，所述第一分区包括沿第二方向依次设置第一核心阵列区域和第一台阶区域，且所述第一台阶区域位于所述第一分区的边缘，所述第二分区包括沿所述第一方向依次设置的第二核心阵列区域和第二台阶区域，且所述第二台阶区域位于所述第二分区的边缘，所述第一方向与所述第二方向相交。利用本发明，不仅可以平衡三维存储器中栅极隔槽蚀刻后的应力，而且可以平衡随着三维存储器的栅极叠层结构层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112054028 A (43)申请公布日 2020.12.08 (21)申请号 202010801515.7 H01L 27/1157 (2017.01)