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本发明涉及晶圆制造，公开了一种硅片去边工艺。本发明中所提供的硅片去边工艺，将与硅片规格相符的保护罩与硅片背封面结合，将带有保护罩的硅片浸泡在HF溶液中浸泡，去除硅片暴露区域的SiO2，将浸泡完成后的硅片放入清水中清洗，去除硅片表面残留HF液体及杂质，将硅片从保护罩上取下后甩干收纳，所述保护罩朝向硅片的一端设有密封圈，所述密封圈与硅片的边缘抵接，将罩设在密封圈内部的硅片表面密封隔离，使得硅片边缘SiO2去除彻底，边界齐整，避免产生较宽的腐蚀边界。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012632 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310821270.8
(22)申请日 2023.07.06
(71)申请人 上海中欣晶圆半导
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