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一种镂空式设计TFT器件的制造方法，包括：在玻璃基板上采用PVD方式沉积一层栅极金属层，进行图案化处理，TFT两侧边缘沟道区域的栅极金属层进行镂空的内缩式设计；栅极金属层上采用CVD方式沉积一层栅极绝缘层；栅极绝缘层上采用PVD方式沉积一层有源层，并进行图案化处理，在沟道区域有源层的面积大于栅极金属层面积，边缘沟道处下方无栅极金属；在有源层上方采用PVD方式沉积一层第二金属层，并进行相应的图案化处理，形成源极和漏极。本发明的TFT两侧边缘沟道下的栅极金属层进行图案化镂空设计，边缘沟道栅极金属层宽
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012647 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310857141.4
(22)申请日 2023.07.13
(71)申请人 华映科技（集团）股份有限公司
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