一种异质结场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.88万字
约 12页
2023-11-08 发布于四川
举报
版权申诉

一种异质结场效应晶体管及其制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种异质结场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件的技术领域。本发明的异质结场效应晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、Ga2O3缓冲层、AlGaO势垒层和栅电极，Ga2O3缓冲层之上设有源极区域和漏极区域，且源极区域和漏极区域分别位于Ga2O3缓冲层的两端，栅电极包括第一金属和第二金属，栅电极位于源极电极和漏极电极之间，第一金属位于源极电极一侧，第二金属位于漏极电极一侧，第一金属的功函数比第二金属高。本发明通过调节β‑(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3HFETs沟道中的电场分

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012818 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310880924.4 (22)申请日 2023.07.18 (71)申请人西安电子科技大学杭州研究院