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本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积一层反射层；步骤二，通过光刻、涂胶、曝光、显影定义所述反射层，去除最终光刻胶底切区域以外的所述反射层；步骤三，在整个半导体衬底表面涂布光刻胶；步骤四，利用特殊设计的灰度光罩曝光，灰度光罩要求从Dark主图形向外透光率渐变增强；通过反射层使得光刻胶底切区域形成光强自下而上分布，完成底切图形的光刻胶图形化。本发明通过给不同反射率的半导体衬底使用不同反射率的反射层，结合灰度光罩，反射层所在区域的光罩透光率
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117008412 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310908815.9
(22)申请日 2023.07.24
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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