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第一章 半导体器件;1.1 半导体与二极管;典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。;二. 杂质半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。;三. PN结及其单向导电性;
PN结加正向电压时,呈现低电阻, PN结导通;
PN结加反向电压时,呈现高电阻, PN结截止。
由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。;1.1.2 二极管的结构和符号; 二极管按结构分三大类:;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号;半导体二极管图片; 1.1.3 二极管的伏安特性;二极管的近似分析计算;1.1.3 二极管的主要参数;;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;1.2.2 变容二极管;1.2.3 光电二极管;1.2.4 发光二极管; 发光二极管是一种新型冷光源。由于它体积小、用电省、工作电压低、寿命长、单色性好和响应速度快,因此,常用来作为显示器。 ;1.3 半导体三极管;一.三极管的结构;三极管分类:;1.3.2 三极管的电流分配关系与放大作用
;2.三极管实现放大作用的条件
;发射结正偏,集电结反偏;3. 三极管的电流分配关系与放大作用
;晶体管电流测量数据; 三极管集电极直流电流IC和相应的基极电流IB的比值称为直流放大系数,用表示,即
一般情况下,?与很接近,即?≈ ,通常?与无须严格区分,可以混用。;1.3.3 三极管在电路中的基本连接方式;1.3.4 三极管的伏安特性; 2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域:
;1.3.5 三极管的主要参数;2. 反向饱和电流
; 3.极限参数; (3)反向击穿电压;; 1.4 场效应管;1.4.1 绝缘栅场效应管简介; 当uGS>0V时→纵向电场
→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义:
开启电压UGS(th)——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;(3)特性曲线; ②转移特性曲线: iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm:; 2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道耗尽型MOSFET;1.4.2 场效应管的主要参数和使用注意事项;(2)交流参数
① 跨导gm ,跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,它是标志场效应管放大能力的重要参数,单位为mS或?S。值得注意的是,gm与工作点有关,它随工作点的变化而变化。
② 极间电容 指场效应管3个电极之间的等效电容CGS、CGD、CDS,一般为0.1~3 pF,是影响管子高频性能的参数。
(3)极限参数
① 漏极最大允许耗散功率PDM,,,指ID与UDS的乘积不应超过的极限值。
② 漏源击穿电压U(BR)DS,指ID开始急剧增加的漏源电压。;;本章小结
(1)半导体导电能力取决于其内部载流子的多少,半导体有电子和空穴两种载流子。本征半导体有热敏特性、光敏特性、掺杂特性。在本征半导体中掺入相应的杂质,便可制成P型半导体和N型半导体,它们内部都有空穴和电子两种载流子,其中多子是由掺杂产生的,少子是由本征激发产生的。
(2)PN结是构成各种半导体的基础,它具有单向导电性。当接正向偏置时,有较大的正向电流,正向电阻较小;而接反向偏置时,反向电流很小,反向电阻很大。
(3)半导体二极管的核心是一个PN结,它的特性与PN结基本相同。二极管的伏安特性是非线性的,所以是非线性器件。二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压和反向饱和电流。
;(4)稳压二极管是一种特殊二极管,利用在反向击穿状态下的恒压特性,常用它来构成简单的稳压电路。其他特殊二极管,如变容二极管、发光二极管、光敏二极管等均具有非线性的特点,它们均有不同于普通二极管的特殊用途。
(5)晶体三极管是由两个PN结构成的半导体器件,在集电结反偏,发射结正偏的外部条件下,晶体管的基极电流对集电极电流具有控制作用,即电流放大作用。晶体三极管有三种连接方式,广泛采用的是共发射极连接。它有三种工作状态,即截止状态、饱和状态和放大状态。三极管的三个极的电流关系是IE=IB+IC,在放大状态时,IC=?IB+ICEO≈?IB,这表明三极管是一种电流控制型器件,具有受控特性(指IC与IB的关系)和恒流特性(指IC和UCE的关系)。
;(6)晶体三极管是一种非线性器件,使用中应注意分析方法,它的特性曲线和参数是正确运用晶体三极管的重
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