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从商业软件拟合得到的阻抗结果中确定正确的Cdl 值
介绍 子吸附时,应该引入CPE 代替Cdl。公式(4)是用
CPE 代替Cdl,并使用商业软件定义的CPE 得到的。
引入常相位角元件(CPE)来代替EIS 测试中的电容元
件,大多数商业软件(Gamry, Scribner, Solartron
等)都可以拟合EIS 数据。与使用纯电容获得的拟合
结果相比,CPE 获得的结果要好得多。
考虑到CPE 定义了电化学EIS 实验中表面的不均匀性
以及固态EIS 测试中电荷分布不均匀性,在真实体系
中使用CPE 能获得更好的拟合是合理的。最主要的问
题是,在商业软件中使用CPE 拟合得到的电容没有容
量的单位,即 F cm-2 或者Ω-1 cm-2,而是Ω-1 cm-2
sa,其中a 是CPE[1] (ZCPE = Zdl(j ω)-a)方程式中 式中Adl 没有容量单位,因此有必要通过拟合Cdiff
的指数。 VS f 曲线来校正Adl 值。根据G. J. Brug 等[9]的研
究结果,对于CPE 与Rs 串联(溶液电阻),Cdl 的值
论文[2-4]已讨论过这一问题,最近,Hsu 和Mansfeld 可以通过公式(5)[7]得到
[5]通过使用公式(1),在CPE 与R 并联情况下,开
发了将容量和其真实值进行校正的公式。
′′ 在这项工作中,为了确定电容真实值和用商业软件拟
其中ω 表示-Z’’最大时的角频率,此时与指数a
合EIS 得到的拟合值之间的关系,分析了对应于CPE
无关,Adl 表示拟合结果。
与R 并联的电化学过程的微分电容和阻抗。
在讨论对时间常数分布不同的处理方法时,M. Orazem
等[6]指出,CPE 与R 并联时等效电路的阻抗可用公式 结果和讨论
(2)或(3)表示。 考虑公式(2)和(3),可以得出结论,公式(2)似
乎更加正确,因为在该等式中,由表面不均匀性导致
的电容频率分散与同一表面电荷转移分布密切相关,
这两个因素是互相依赖的。由公式(2)得到的微分电
容为:
由公式(3)得到的微分电容为:
重要的是要注意,所有商业软件拟合阻抗数据时都用
的公式(3)。
最近的研究表明,在0.01M NaCl 溶液中的Ag[111][7]
和在0.1M NaOH 溶液中的Cu 单晶[8]甚至不能将单晶
表面视为均质,并且用Cdiff 对f 曲线分析研究阴离
因此,公式(6)在单位上是正确的,而公式(7)是 图1 是Z’ VS Z’’图,可以看到用公式(8)和(9
不正确的,需要额外的校正。 )得到的图和用公式(10)和(11)是一样的,但是
在-Z’’ VS log f 图中存在很大的差异。正如Hsu 和
同时,阻抗的实部(Z’)和虚部(Z’’)分别由公
Mansfeld [5]在论文中提到的那样,当使用公式(8)
式(8)和(9)定义。
和(9)时,在-Z’’ VS log f 图(图2)中,-Z’
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