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本发明的一种可控硅多级串联电路,包括熔断器FU和可控硅模块,其特征在于,可控硅模块包括单向高压可控硅SCR、静态均压电阻R、动态均压阻容rc、非线性氧化锌MOV,所述单向高压可控硅SCR、静态均压电阻R、动态均压阻容rc、非线性氧化锌MOV采用并联的形式连接;所述可控硅模块、熔断器FU分别串联在主回路中。本发明的一种可控硅多级串联电路通过并联静态均压电阻R和动态均压阻容rc实现可控硅的静态均压和动态均压,当系统瞬时过电压达到非线性氧化锌的阈值电压时,氧化锌导通,从而保护可控硅、静态均压电阻、动态
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117039826 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311162405.0
(22)申请日 2023.09.08
(71)申请人 安徽徽电科技股份有限公司
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