一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管.pdf

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本发明提供一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法包括：在衬底上依次生长外延层、电流扩展层；在电流扩展层上依次涂布粘度不同的光刻胶，进行曝光、显影处理，露出电流扩展层；通过两种腐蚀液分别对电流扩展层进行腐蚀，以形成扩展层凹部和避让空间；中和、冲洗后进行烘烤，使得光刻胶软化下垂，将避让空间封闭；对外延层表面进行刻蚀，以形成外延层凹部；分别在外延层凹部和电流扩展层上制备N型电极和P型电极，得到目标倒装发光二极管；通过本申请，中和残留腐蚀液防止的酸性物质挥发以及烘烤使得光刻胶软化封闭电流扩

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038813 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311206629.7 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 3