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本发明属于MOCVD设备反应室技术领域,具体涉及一种深紫外MOCVD设备反应室,包括顶盘、真空腔体、法兰底板、气体均匀性在线监测仪、第一进气口、第二进气口、混合空腔,所述顶盘真空腔体设置在顶盘与法兰底板之间,所述顶盘的底部设置有混合空腔,所述混合空腔设置在真空腔体内,所述气体均匀性在线监测仪穿过顶盘伸入混合空腔内,所述第一进气口、第二进气口分别与混合空腔相连通。本发明重新设计了MOCVD设备反应室中的顶盘组件,使工艺气体在小空间内的混合更为均匀,从而提升工艺气体在整个混合空腔中的混合均匀性。并且
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117026204 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310846427.2
(22)申请日 2023.07.11
(71)申请人 山西中科潞安紫外光电科技有限公
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