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本发明涉及一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将30～90vol.％的Si3N4中空微球和10～70vol.％的Si粉混合得到混粉，再与无水乙醇混合后均匀填充到模具中加压形成Si3N4陶瓷素坯；将Si3N4陶瓷素坯直接放入氮化炉中，以N2作为反应气，保持气流量为60～100ml/min，从室温升温至1100～1200℃后缓慢升温至1350～1450℃保温4～6h，冷却得到预强化的Si3N4陶瓷预制体；对预强化的Si3N4陶瓷预制体进行先驱体浸渍裂解致密化处理，得到Si3N4闭气孔隔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117024156 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310847012.7
(22)申请日 2023.07.11
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