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一种垂直存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底，在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在衬底的单元区上的栅电极，在单元区上并在垂直方向上延伸穿过栅电极的沟道，在外围电路区上并在垂直方向上延伸的第一下接触插塞，在外围电路区上与第一下接触插塞相邻并在垂直方向上延伸的第二下接触插塞，以及电连接到第一下接触插塞的第一上布线。第一上布线被配置为将电信号施加到第一下接触插塞。第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117042456 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310855354.3
(22)申请日 2017.07.11
(30)优先权数据
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