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提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在包含杂环的聚合物的重复单元结构中或末端具有被保护基取代了的碱性的有机基，并进一步包含溶剂。上述聚合物可以含有包含碳原子数2～10的烯基的杂环。上述聚合物可以在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元。(在式(3)中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示包含杂环的2价有机基，m1和m2
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117043679 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202280022136.5 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所
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