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本发明公开了一种掩膜的衍射近场的计算方法、光刻成像计算方法。其中掩膜的衍射近场的计算方法，包括：获取样本数据集并构建、训练可获得掩膜的顶角附近的近场的算法模型；通过2D严格电磁学仿真生成所述掩膜的多边形的边缘附近的一维近场；基于所述一维近场沿着所述掩膜的边缘方向展开生成所述掩膜的多边形的边缘附近的二维近场；通过所述算法模型获得掩膜的顶角附近的近场；将所述掩膜的顶角附近的近场与边缘附近的二维近场进行叠加，得到所述掩膜的衍射近场。本发明可以兼顾计算效率和计算精度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117034531 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310563402.1
(22)申请日 2023.05.17
(71)申请人 深圳国微福芯技术有限公司
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