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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域，具体为一种金属填孔方法及非制冷红外探测器的制作方法。本发明提供的一种基于电镀工艺的高填充率金属填孔方案，基于半导体制程工艺，在需要填充的孔底部先沉积种子层材料，通过电镀的方式，从孔底逐步向上电镀金属膜层，达到高填充率、高可靠性的填孔方案。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117023509 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311012066.8 C25D 5/00 (2006.01)
(22)申请日 2023.08.1
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