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本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法,括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属;横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形,有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区;复合场限环具有至少两个,以半导体漏区的中心为圆心,等距内嵌在漂移区的顶面中;每个复合场限环均包括P型区域和介质区域;P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料,能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响,从而提高击穿电压;同时提高漂移区掺杂浓度,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038704 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310969940.0 H01L 29/51 (2006.01)
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