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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明公开了一种多级分支纳米线发光器件及其制备方法,包括至少一个生长于CMOS器件的有源区或硅衬底上的树状结构纳米线,所述树状结构纳米线包括主干纳米线和连接在所述主干纳米线上的至少一个分支纳米线,所述分支纳米线含有多个发光区。解决像素颗粒小型化方面的技术瓶颈,使得单个芯片就可以减轻VR画面严重的颗粒感、栅格、亮度对比度不够高等严重影响画面真实感的问题。因此,采用本发明技术的半导体制造的显示设备具有超高像素密度、体积小、重量轻、功耗低、发光亮度高、便携性大、色温稳定、使用寿命长、全彩/单色均可实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038696 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311008754.7
(22)申请日 2023.08.11
(71)申请人 浙江大学
地址 310058
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