半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构与第二栅极结构，第一栅极结构位于产品区，第二栅极结构位于切割道区，第二栅极结构沿第一方向延伸；第一接触结构，位于产品区，贯穿第一栅极结构的保护介质层且延伸至栅极层；第一介质层，位于基底上，且第一介质层的上表面与栅极结构表面位于同一平坦化表面；第二介质层，覆盖第一介质层、第一接触结构以及栅极结构；第二接触结构，位于产品区，位于第一接触结构顶部，且贯穿第二介质层；第三介质层，覆盖第二介质层以及第二接触结构，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038674 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311302664.9 (22)申请日 2023.10.10 (71)申请人合肥新晶集成电路有限公司地址