采用具有多个沟道结构的场效应晶体管（FET）并且不具有浅沟槽隔离（STI）空隙引起的电短路的半导体器件.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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采用具有多个沟道结构的场效应晶体管（FET）并且不具有浅沟槽隔离（STI）空隙引起的电短路的半导体器件.pdf

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公开了半导体器件，其采用具有多个沟道结构的场效应晶体管(FET)并且不具有浅沟槽隔离(STI)空隙引起的电短路。在一个方面，提供了包括衬底的半导体器件。半导体器件包括设置在衬底之上的沟道结构，沟道结构对应于FET。STI沟槽形成在每一对对应的沟道结构之间。每个STI沟槽包括填充有较低质量的氧化物的底部区域，以及填充有较高质量的氧化物的顶部区域。在半导体器件的特定制造步骤期间，较低质量的氧化物易于在底部区域中形成空隙。然而，较高质量的氧化物不易于形成空隙。因此，较高质量的氧化物不包括栅极能够利用其

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109844929 A (43)申请公布日 2019.06.04 (21)申请号 20178