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本文公开了一种半导体装置，本文描述的一些实施方式提供了纳米结构晶体管。纳米结构晶体管包括在多个通道层的端部处的凹形区域。纳米结构晶体管还包括外延材料的凸形部分，包括作为纳米结构晶体管的源极/漏极区域的一部分，且其延伸到凹形区域中。在沉积缓冲层之后，所执行的遮罩、蚀刻及清洁操作可以形成凹形区域。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219998226 U
(45)授权公告日 2023.11.10
(21)申请号 202320909789.7
(22)申请日 2023.04.21
(30)优先权数据
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