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- 2023-11-15 发布于四川
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本申请提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底，具有一下表面及与该下表面相对的一上表面。该制备方法还包括形成一开口，在该基底的该上表面与该下表面之间延伸。该制备方法还包括将一第一电子元件附着到该基底的该上表面。该第一电子元件的一主动表面面对该基底的该上表面。此外，该制备方法还包括将一第二电子元件附着到该第一电子元件上。该第二电子元件的一主动表面面向该基底的该上表面。该制备方法还包括在该基底上形成一键合线。该键合线穿过该基底的该开口，并将该基底与该第一电子元件或该第二电子元件中的一个
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059580 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202310138691.0 H01L 23/488 (2006.01)
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