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本发明属于功率半导体技术领域，具体是涉及一种GaN级联二极管。级联二极管等效为多个栅控二极管串联，只需很少数量串联便可达到HEMT器件静电防护所需的电压要求，大大提高了芯片使用效率。等效纵向场板拓展了横向器件纵向维度的利用，提高晶圆利用率。实际工艺制备中刻蚀引入缺陷的区域远离器件导通路径，因此能有效减小材料缺陷对二维电子气迁移率的影响，改善器件正向导通和动态特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059659 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202311076973.9
(22)申请日 2023.08.24
(71)申请人 电子科技大学
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