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本发明的电子器件的制造方法、测定方法以及成膜装置能够更准确地测定在基板上形成的膜的厚度，由此，准确地控制在基板的元件区域形成的膜的厚度。具有：在具有形成电子器件的元件区域以及与元件区域不同的测定区域的基板的测定区域，形成对光进行反射的反射层的反射层形成工序；以至少在测定区域中与反射层重叠的方式，在元件区域及测定区域形成第1膜的第1成膜工序；通过从第1膜一侧向反射层及第1膜照射光，测定第1膜的厚度的测定工序；以及在测定工序之后，至少在元件区域形成第2膜的第2成膜工序。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113463058 A
(43)申请公布日 2021.10.01
(21)申请号 202110344993.4
(22)申请日 2021.03.31
(30)优先权数据
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