形成用于沉积磁隧道结的极平滑底电极表面的方法.pdfVIP

形成用于沉积磁隧道结的极平滑底电极表面的方法.pdf

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提供一种工艺序列以提供用于在其上沉积磁隧道结的极平滑(0.2nm或更小)底电极表面。在一个实施方式中,此序列包括通过体层沉积接着图案化并蚀刻而形成底电极焊盘。氧化物接着沉积在形成的底电极焊盘上方且被向后抛光以暴露底电极焊盘。接在预清洁操作后,底电极缓冲层接着沉积在其上方。底电极缓冲层接着暴露于CMP工艺以改良表面粗糙度。接着在底电极缓冲层上方执行MTJ沉积。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117062511 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311018659.5 H10N 50/80 (2023.01)

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