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本实用新型公开一种用于半导体工艺设备的加热装置及半导体工艺设备，半导体工艺设备包括气源容器和管路组件，管路组件与气源容器连通，且位于气源容器之外；加热装置包括壳体、控制器、多个加热件和多个温度检测件；壳体内具有加热腔室，管路组件的至少部分设于加热腔室内，多个加热件间隔的设于壳体，且与控制器连接；多个温度检测件与控制器连接，且与多个加热件一一对应，每个温度检测件用于检测与其对应的加热件对应位置处的壳体的内壁的实际温度；控制器用于根据多个温度检测件检测的实际温度控制多个加热件的加热功率。上述方案可以
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220012808 U
(45)授权公告日 2023.11.14
(21)申请号 202321672429.6
(22)申请日 2023.06.28
(73)专利权人 北京北方华创微电子装备有限公
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