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本发明公开了一种具有双沟道SOI‑LDMOS晶体管；该晶体管包括依次层叠设置的衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层。所述的硅膜层包括源区、外P‑body区、内P‑body区、外漂移区、内漂移区、漏区和隔离区。内P‑body区和内漂移区并排设置在源区与漏区之间。外P‑body区和外漂移区并排设置在源区与漏区之间。所述的内P‑body区、内漂移区与外P‑body区、外漂移区通过隔离区分隔。本发明在源区与漏区之间设置通过隔离区隔开的两组P‑body区、漂移区，并配合埋入埋氧层内的第一栅电极和处于器件顶层的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059667 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202310984551.5
(22)申请日 2023.08.07
(71)申请人 杭州电子科技大学温州研究院有限
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