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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有低反向导通损耗的GaNCAVET器件。该结构通过集成拥有两条电流导通路径的场效应整流管，既实现了低损耗的反向导通，又使拥有较强的反向导通电流能力。场效应整流管栅极金属的淀积和CAVET器件源极金属的淀积可以在同一步工艺下实现，无需增加额外的掩膜板和工艺步骤，使得该结构兼容常规工艺，有利于器件的集成化。该结构在低反向电压时，场效应整流管栅区下的GaN沟道开启，实现低损耗的反向导通；在反向电压较高时，P型高掺杂GaN阻挡层与GaN缓冲层形成的寄生体二极管导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059662 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202311017958.7
(22)申请日 2023.08.14
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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