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本实用新型涉及半导体集成电路引线框架蚀刻制造技术领域，尤其涉及高密度集成电路引线框架设备的蚀刻喷射机构，包括蚀刻箱，蚀刻箱设置有通过口以及对引线框架前进输送的蚀刻通道，蚀刻通道沿途布置有对经过引线框架喷射液体的蚀刻组件，蚀刻组件包括支撑件以及带动支撑件往复移动的移动驱动件，支撑件安装有多个可朝向于引线框架喷射液体的喷射头；需要蚀刻的引线框架经通过口进入到蚀刻箱，蚀刻通道对引线框架前进输送，蚀刻组件工作，安装有多个喷射头的支撑件对经过引线框架喷射药水进行蚀刻，且通过该移动驱动件带动支撑件往复移动，
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220021050 U
(45)授权公告日 2023.11.14
(21)申请号 202321194241.5
(22)申请日 2023.05.17
(73)专利权人 东莞奥美特科技有限公司
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