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CMOS图像传感器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-15 发布于四川
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CMOS图像传感器及其制造方法.pdf

    本公开提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，CMOS图像传感器通过在衬底中形成具有缓冲层和介质层的深沟槽隔离结构，使缓冲层包裹介质层，且介质层内具有气隙结构。如此，不仅可以增强深沟槽隔离结构对光电二极管之间的光隔离及电隔离效果，而且，深沟槽隔离结构能够有效吸收衬底中的应力，释放光电二极管中的应力，减少光电二极管的晶体缺陷，提高光电二极管的性能，从而，提升CMOS图像传感器的成像品质。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059634 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202210492374.4 (22)申请日 2022.05.07 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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