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本发明公开了一种掺铊碘化钠晶体的制备方法，属于卤化物闪烁晶体生长制备技术领域，包括两次晶体生长过程，首先使用坩埚下降法进行第一次晶体生长，进行筛选，筛选出合格产品和瑕疵晶体，瑕疵晶体筛选后进行处理，之后使用坩埚下降法进行第二次晶体生长，使用本发明所述方法处理的回收晶体料可以生长2‑4L大尺寸掺铊碘化钠且晶体内部没有杂质，点缺陷出现的几率更低，原子排列更加紧密，单晶性能更强，充分利用了第一次晶体制备过程中的晶体回收料，使原材料利用率达到80%以上，且第二次生长的大尺寸掺铊碘化钠晶体能量分辨率小于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117051470 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202311050849.5
(22)申请日 2023.08.21
(71)申请人 燕山大学
地址 066004
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