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本发明公开一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为：导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期性正‑反向畴结构，利用铁电电畴调控二维半导体WS2的光致发光强度。铁电畴极化向下区域的WS2发光强度明显强于极化向上的区域，利用荧光相机拍摄出的荧光相片呈现出与极化方向相对应的明暗区域，将这些明暗区域分别代表存储器的开态(“1”)和关态(“0”)，从而实现存储的目的。该类光电存储
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109949843 A
(43)申请公布日
2019.06.28
(21)申请号 20191
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