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本发明提供一种抛光方法及抛光装置。其中,所述抛光方法并未对抛光液中的成分及磨料颗粒尺寸进行改进,而是在基板完成正常抛光工艺之后,采用气流对基板的亚损伤层执行气磨抛光。即,先令基板和抛光垫之间呈非接触状态,再向二者的间隙内喷射气流,利用高速的气流和有限的接触空间形成强大的气体冲击力,以剥离一定厚度的亚损伤层;以及,利用化学机械抛光工艺中的旋转动作,进一步带动气流转动,提高了气流对亚损伤层的剥离效率,并确保了剥离后的基板具有较佳的平坦度和粗糙度。同时,采用无磨料的气体抛光不会对基板产生新的损伤。因此
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117047568 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202311079098.X
(22)申请日 2023.08.24
(71)申请人 上海传芯半导体有
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