数据的写入方法及磁存储器.pdfVIP

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2023-11-15 发布于四川
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数据的写入方法及磁存储器.pdf

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本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059145 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311091101.X (22)申请日 2018.02.01 (62)分案原申请数据