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本申请提供一种基于硅通孔的片上变压器，包括硅基片、阵列排布于硅基片中的多个硅通孔、分别设于硅基片顶面和底面上的顶部重布线层和底部重布线层、输入端口、及两个输出端口，硅通孔中设有金属柱及环绕金属柱的介质环。具有空间利用率高、输入输出端口方便布置的特点，且频带宽，相位幅度优良。从而能够避免现有技术的片上变压器及片上巴伦体积庞大、空间利用率低、工艺复杂、输入输出端口的布置形式单一、带宽窄等问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117079943 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310997645.6 H01F 27/29 (2006.01)
(22)申请日 2023.08.
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