存储器件的制作方法.pdfVIP

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2023-11-18 发布于四川
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存储器件的制作方法.pdf

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公开了一种存储器件的制作方法，包括：提供一衬底，该衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于集成元胞器件，第二区域用于集成逻辑器件，第一区域的衬底上形成有第一氧化层，第一氧化层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上形成有隔离层，隔离层上形成有第二多晶硅层，第二区域的衬底上形成有第二氧化层，第二氧化层上形成有第三多晶硅层，第二多晶硅层的高度高于第三多晶硅层的高度；形成二氧化硅层，二氧化硅层覆盖第二多晶硅层和第三多晶硅层；进行平坦化，去除第一区域的二氧化硅层；通过刻蚀降低第二多晶硅层的厚度；通过刻蚀去除

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117082857 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202311096706.8 (22)申请日 2023.08.29 (71)申请人华虹半导体（无锡