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一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成若干初始存储单元结构，初始存储单元结构包括：位于衬底表面的浮栅介质层；位于浮栅介质层表面的初始浮栅；位于初始浮栅表面的掩膜结构；位于初始浮栅表面以及掩膜结构侧壁的控制栅介质层；位于掩膜结构两侧的控制栅介质层表面的控制栅；去除掩膜结构，形成初始开口，初始开口暴露出初始浮栅表面；刻蚀初始开口底部的初始浮栅以及浮栅介质层，在相邻控制栅以及控制栅介质层之间形成字线开口，字线开口暴露出衬底表面；在字线开口内形成字线结构，从而拓宽了闪存
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117082861 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311120309.X
(22)申请日 2023.08.31
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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