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本发明提供SiC单晶生长装置及SiC晶体生长方法，其能够减少晶种的温度分布的偏差、晶种的变形、损伤，由此使缺陷、裂纹较少的SiC单晶生长。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的上下部分中的任一个部分(例如底部(13))具有供由SiC构成的固体原料(M(s))收纳的原料收纳部(12)，在位于与该一个部分相对的位置的另一个部分(例如盖部(16))具有供SiC的晶种(2)安装的基座部(17)；以及加热部件(3)，其对固体原料(M(s))进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117083422 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202280023631.8 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事
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