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本发明公开了一种检测日本血吸虫抗体的HEMT传感器及其制备方法，属于生物传感技术领域。所述传感器包括：衬底材料上依次形成的AlN成核层、UGaN缓冲层、LTGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al0.25Ga0.75N势垒层、GaN帽层、源漏极、蜿蜒栅极和钝化层；所述蜿蜒栅极表面依次采用食人鱼、3‑氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛、SEA作为修饰物，修饰到传感区域，形成自组装分子膜。本发明采取无金弯曲栅结构，将自组装分子膜直接修饰在无栅区，提高传感器的灵敏，同时降低了成本。本发明检测时间短，操作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080264 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310883665.0 H01L 21/335 (2006.01)
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