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本发明提供了一种真空封装结构及其制备方法。真空封装结构包括：衬底；导电基座，导电基座设置在衬底表面；第一吸气剂层，第一吸气剂层设置于导电基座表面；微桥结构，微桥结构支撑设置于第一吸气剂层的表面；第二吸气剂层，第二吸气剂层设置于导电基座表面，且位于第一吸气剂层与微桥结构围合的空间内。本发明无需在元器件封装管壳上焊接吸气剂柱或吸气剂片，无需在盖板上为吸气剂提供额外空间，在减小元器件封装尺寸，降低器件成本的情况下，增大了吸气剂的暴露面积，提高了元器件的真空度；且能够通过电激活或热激活方式对第一吸气剂层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117069049 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311196731.3
(22)申请日 2023.09.15
(71)申请人 浙江大立科技股份有限公司
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