半导体器件.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.8万字
约 19页
2023-11-18 发布于四川
举报
版权申诉

半导体器件.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管、第二晶体管以及至少一个体区接触孔。第一晶体管包括第一漏极以及第一栅极。第二晶体管包括第二漏极以及第二栅极。第一晶体管与第二晶体管具有共同的有源区，第一晶体管与第二晶体管具有共用的源极，源极设置于第一栅极和第二栅极之间并对应至少一个源极接触孔。至少一个体区接触孔设置于第一栅极和第二栅极之间且与至少一个源极接触孔相邻，至少一个源极接触孔的电位与至少一个体区接触孔的电位相同。透过共用的源极且配置源极接触孔的电位与体区接触孔的电位相同，达成电性隔离，而无需隔离区

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117080219 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202311228486.X (22)申请日 2023.09.22 (71)申请人矽力杰半导体技术（杭州）有限公司