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本公开提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：形成在衬底上的外延层；形成从所述外延层上表面延伸其内部的沟槽；形成第一介质层及源极导体，其中，所述源极导体位于所述沟槽内，所述第一介质层覆盖所述沟槽内表面及所述外延层上表面，以将所述源极导体与所述外延层隔离；去除所述外延层上表面及所述沟槽上部的第一介质层，保留位于所述沟槽底部的第一介质层，并形成位于所述源极导体两侧的填充空间；形成位于所述填充空间内的第二介质层，所述第二介质层通过氧化所述外延层及所述源极导体得到，以减小所述源极导体宽度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080251 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311092726.8
(22)申请日 2023.08.28
(71)申请人 杭州富芯半导体有限公司
地址 3
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