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本发明公开了一种用于高压器件的碳化硅厚外延片,有效解决外延片晶体缺陷和抗烧蚀性能差的问题。通过对碳化硅衬底进行涂布改性碳膜的方法,在外延和退火过程中通过碳膜的碳原子迁移,补充外延层的碳空位,从而实现碳空位修复的目的,提高碳化硅外延片载流子寿命的目的。其次在改性碳膜中掺杂铝粒子以提高其抗烧蚀性能,Al具有较高的熔点和较大的相变潜热,导热系数高、抗高温氧化性能好,氧化形成的Al2O3具有熔点高、热膨胀系数低、良好的力学性能和耐腐蚀等优点,能充当隔热层并防止氧气扩散到内部SiC层中,实现表面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117071062 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311005444.X
(22)申请日 2023.08.10
(71)申请人 南京百识电子科技
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