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屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-18 发布于四川
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屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法.pdf

    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法，其中，所述方法包括：形成在衬底上的外延层；形成从外延层上表面延伸至其内部的沟槽；形成位于所述沟槽内的源极介质层及源极导体，所述源极介质层覆盖所述沟槽的内表面及所述外延层的上表面，以将所述源极导体与外延层隔离；由所述外延层上表面向下去除所述源极介质层，以暴露所述源极导体的上部，并形成填充空间；形成位于所述填充空间内以及所述外延层上表面的栅极介质层；形成位于所述栅极介质层上表面的隔离层；形成位于隔离层上表面的栅极导体，所述隔离层将所述源极导体与栅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117080167 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202310887540.5 (22)申请日 2023.07.19 (71)申请人 杭州富芯半导体有限公司 地址 3

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