IGBT模块失效机理及状态监测研究综述.pdfVIP

第 52 卷 第 9 期 中国电力 Vol. 52, No. 9 2019 年 9 月 ELECTRIC POWER Sept. 2019   IGBT 模块失效机理及状态监测研究综述 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 王希平 ，丁祥宽 ，姚芳 ，唐圣学 ，李志刚 (1. 河北工业大学 电气工程学院 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津　300130； 2. 河北工业大学 电气工程学院 河北省电磁场与电器可靠性重点实验室 天津　300130)     摘　要：随着电力电子系统性能要求的不断提高，绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT） 模块不仅要拥有高功率密度，还要具有良好的热−机械性能，以提高其可靠性。首先介绍了IGBT模块的主 要失效模式，对封装中键合线和焊料层失效机理进行了详细阐述，重点介绍了IGBT模块健康状态监测， 分别对结温、键合线与焊料层健康状态监测及其量化评估研究进展进行了详细分析。最后，对降低热−机 械应力以提高整机可靠性设计和运行工况下在线监测研究的发展前景进行了展望。 关键词：IGBT模块；可靠性；失效机理；状态监测；键合电阻；瞬态热阻抗 中图分类号：TN322           文献标志码：A           DOI ：10.11930/j.issn.1004-9649.201907034     0 引言 技术人员也非常重要。 IGBT模块具有工作频率高、开关速度快、输 随着电力电子装置在新能源发电、交直流输 [8] 入阻抗高、载流密度大及饱和压低等优点 ，但 配电系统、轨道交通以及电动汽车领域的广泛使 在高开关频率下所产生的功率损耗随之增加，加 用，功率器件朝着高电压等级、高功率密度趋势 之外在环境因素影响，模块长期承受重复的较大 发展，因此电力电子装置可靠性成为广泛关注的 结温波动，这对IGBT封装技术提出新的挑战。 [1-3] 焦点问题 。根据工业报告统计，功率变流器系 按照封装形式不同，主要分为压接型和焊接型 [4] 统故障约有38%源于功率器件的失效 ，研究表 IGBT模块。封装形式的不同，导致模块的失效模 明绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块失效机理复 [9] 式及