半导体光电子学第二章第四章PPT课件.pptxVIP

第二章 异 质 结;前言：半导体同质结 ;突变结：在交界面处，杂质浓度由NA（p型）突变为ND（n型），具有这种杂质分布的p-n 结称为突变结。 ;;2.1 异质结及其能带图 ;;;电子亲和势χ：一个电子从导带底转移到真空 能级所需的能量。 ;作能带图的步骤;;;eVD=φ1-φ2=F1-F2=e（VDp+VDN） ;;上面讲的是平衡结（无外界作用）的情况，当在结两边加上正向电压Va后，它在结两边空间电荷区上的压降分别为V1和V2，这时的势垒高度就由原来的eVD降低到e（VD-Va）=e[（VDp-V1）+（VDN-V2）]，只要用（VD-Va）、（VDp-V1）、（VDN-V2）分别代替VD、VDp、VDN，上面讲的公式仍然成立。 ;异质结的电流-电压特性 ;;;二、突变同型异质结 ;;2.2 异质结在半导体光电子学器件中的作用 ;1. pN异型异质结处在正向电压时，异质结势垒高度降低，N区的电子可以越过势垒和隧穿势垒而注入窄带隙p区，这种异质结有助于载流子从宽带隙区向窄带隙区的注入，同时该异质结在价带上的势垒也阻碍着空穴由p区向N区的注入。 2.同型异质结pP有一个较高的势垒以阻挡注入p区的电子漏出。 3.由于窄带隙半导体的折射率比宽带隙高，因此有源区两边的同型和异型异质结都能产生光波导效应，从而限制有源区中的光子从该区向宽带隙限制层逸出而损失掉。n1n2n3. ;4.在实际激